2026-09-04
沟槽填充设备观察：制程微缩下， SACVD与组合填充方案的价值重估
2026/09
首芯半导体 行业资讯
沟槽填充设备观察:制程微缩下，SACVD与组合填充方案的价值重估
应用材料主导的格局正在松动，国产设备在成熟制程扩产中找到突破口
导语
作为专注于PECVD、ALD等薄膜沉积设备的厂商，我们在跟踪介质沉积技术演进时注意到：SACVD（次常压化学气相沉积）这一相对低调的细分品类，近期因国产设备订单放量和多家咨询机构专题报告而重新受到关注。本文梳理SACVD的技术定位、应用材料的竞争格局与国产替代进展，并分享我们对沟槽填充设备趋势的判断。文中数据均来自公开渠道并注明出处，图表由首芯半导体依据公开数据自行绘制。
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认识SACVD：为“填孔”而生的沉积技术
SACVD（Sub-Atmospheric CVD，次常压化学气相沉积）在约400–550°C、30–600Torr 的次常压环境下通过热反应沉积介质薄膜，典型膜种包括 BPSG（硼磷硅玻璃）、SAF、SA-TEOS等。较高的反应物浓度与反应温度赋予其良好的台阶覆盖性和填孔能力，使其成为STI（浅槽隔离）、ILD/PMD（金属前介质层）等沟槽填充工艺的主力技术，在深宽比7:1以下的场景中表现最佳。[1]
与PECVD依赖等离子体增强不同，SACVD依靠热反应完成沉积，薄膜应力和杂质控制表现优异，尤其适合对填充质量敏感、深宽比适中的结构。在逻辑芯片的STI 隔离、功率器件和CIS（图像传感器）的介质层制备中，SACVD长期是不可替代的标准工艺。
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市场格局：应用材料主导，国产厂商实现突破
从市场规模看，SACVD属于细分品类：智研咨询数据显示，SACVD与HDPCVD合计约占薄膜沉积设备市场的6% 左右。由于品类规模有限，设备厂商通常不单独披露SACVD产品线的收入与份额，竞争格局需要从相关业务推断。[2]
全球范围内，SACVD市场长期由应用材料（AMAT）、泛林（Lam）、东京电子（TEL）主导，其中应用材料的Producer SACVD被业界视为对标基准。应用材料不单独披露SACVD份额，但旁证充分：其CVD整体全球市占率约27%–30%，PECVD市占率达51%，PVD更长期保持在80% 以上（2022 年数据）。更关键的是，Producer平台自1998年推出以来已成为多种材料薄膜沉积的基础平台，覆盖150–300mm晶圆，广泛应用于逻辑、DRAM、NAND 及MEMS、光电、功率器件——SACVD正是该平台上的主力工艺模块之一。[3]
首芯半导体在SACVD设备方面也做了深入布局，12英寸GFF (Gap-fill Film) 设备是AFilm针对28nm及以下STI（Shallow Trench Isolation) 浅沟槽隔离所研发的机台，针对氧化硅薄膜工艺可实现深宽比8:1的无缝填充，行业领先。
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技术趋势：深宽比提升，单一技术让位组合方案
制程微缩使器件沟槽越来越深、开口越来越窄，对填充的均匀性、致密性和无缺陷性提出更高要求，单一填充技术已难以通吃所有场景。行业正在形成按深宽比分工的组合方案：HDPCVD通过沉积与溅射同步进行，薄膜更致密，适用于深宽比5:1以下；SACVD依靠高温高压热反应实现快速优质填孔，覆盖7:1以下的主力区间；Flowable CVD则面向极高深宽比，可实现无孔洞填充。
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需求趋势：成熟制程扩产是基本盘，国产替代打开窗口
SACVD的主战场是40/28nm及以上制程，对应逻辑、功率、模拟、CIS及存储外围电路——这些正是中国大陆当前扩产最积极的领域。成熟制程产能的持续扩张，为SACVD提供了稳定且可预期的需求基本盘。
格局层面，出口管制使先进沉积设备对华销售受限，叠加国内晶圆厂主动打开国产设备验证窗口，应用材料在中国成熟制程产线的SACVD份额正被国产设备实质性分流。2025年以来，恒州博智、格隆汇等多家咨询机构陆续发布SACVD设备市场专题报告，覆盖2020—2031年销量与收入走势，一个细分品类被单独研究，本身也反映出市场关注度的提升。全球范围内应用材料的主导地位短期难以撼动，但中国市场“成熟制程 + 国产验证”的结构性替代已经启动。
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首芯半导体的观察
作为专注于PECVD、ALD等薄膜沉积设备的厂商，我们基于对SACVD赛道的持续跟踪，形成三点判断：
—SACVD是平台工艺模块，而非孤立品类。市场规模约6% 的占比决定了它难以支撑独立产品线，但作为介质沉积平台的能力拼图，它直接影响客户对厂商整体交付能力的评价。应用材料的Producer 平台模式、拓荆从PECVD平台衍生SACVD的路径，都印证了这一点。
—与PECVD的平台协同是天然切入点。SACVD与PECVD共享真空、传输、温控等大量平台技术，对已有PECVD技术积累的厂商而言，向SA-TEOS、BPSG等填孔工艺包延伸具备现实基础。首芯半导体在PECVD平台上持续积累的等离子体控制、膜厚均匀性与颗粒控制能力，可复用于填孔类工艺的开发。
—客户价值点明确：填充质量、稳定性与综合拥有成本。成熟制程客户对国产设备的核心诉求已从“能用”转向“好用、稳定、省心”，填充无孔洞、颗粒控制优异、维护周期长的设备将获得重复订单——这也是国产SACVD从首台验证走向批量放量的关键门槛。
总体而言，SACVD的单点市场空间有限，但它所代表的沟槽填充能力，正在成为介质沉积设备厂商平台化竞争的重要一环。在成熟制程扩产与国产替代的双重驱动下，具备平台化技术储备和工艺协同能力的厂商，将在这一轮格局重塑中占据主动。首芯半导体 将持续关注沟槽填充技术的发展，并以 PECVD、ALD为核心，稳步拓展介质沉积的工艺覆盖边界。
资料来源说明
本文数据与事实信息来源于以下公开渠道：智研咨询（SACVD/HDPCVD市场占比，2023年）；Gartner 等市占率数据（转引自中金公司研究部及行业公开资料，2022年）；应用材料（Applied Materials）官方公开产品资料；拓荆科技官方公开资料及东海证券研报节选（2026年1月）；恒州博智、格隆汇等SACVD设备市场研究报告（2025—2026年）。全部数据均在正文或脚注中注明出处。
文中图1—图4由首芯半导体依据上述公开数据自行绘制，版权归首芯半导体所有。应用材料（Applied Materials）、泛林（Lam Research）、东京电子（TEL）、拓荆科技等名称均为其各自所有者的商标或商号，本文仅为行业信息介绍之用。
数据来源
[1] SACVD工艺公开技术资料及行业研究综述，2025—2026年。
[2] 智研咨询，2023年。
[3] Gartner等，转引自中金公司研究部及行业公开资料，2022年；应用材料公开产品资料。
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